bn:00210031n
Noun Concept
Categories: パワーエレクトロニクス, トランジスタ, 電子部品, 半導体素子
JA
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ  IGBT  絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ  絶縁ゲートバイポランジスタ
JA
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: insulated-gate bipolar transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。 Wikipedia
Definitions
Relations
Sources
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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: insulated-gate bipolar transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。 Wikipedia