bn:03727062n
Noun Concept
Categories: 磁気デバイス, 計測機器, センサ, スピントロニクス
JA
トンネル磁気抵抗効果  トンネル磁気抵抗
JA
トンネル磁気抵抗効果(とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect)とは、磁気トンネル接合素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。 Wikipedia
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トンネル磁気抵抗効果(とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect)とは、磁気トンネル接合素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。 Wikipedia
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