La Memoria a cambiamento di fase è un tipo di memoria non volatile a stato solido di nuova generazione, il cui materiale standard è una lega calcogenura composta da Germanio, Antimonio e Tellurio, chiamata GST, in grado di cambiare fase in modo reversibile e controllato per mezzo di una corrente di programmazione che attraversa la cella di memoria che, riscaldando in modo opportuno il GST, induce il cambiamento di fase. Wikipedia